In0.18Al0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact

P. G. Chen, M. Tang, M. H. Liao, M. H. Lee*

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 通訊期刊論文 › 同行評審

5 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「In0.18Al0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Material Science