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In
0.18
Al
0.82
N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact
P. G. Chen, M. Tang, M. H. Liao,
M. H. Lee
*
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
5
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「In
0.18
Al
0.82
N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
gallium nitrides
100%
transistors
100%
electron mobility
100%
aluminium nitrides
100%
substrates
75%
barriers
50%
control
25%
comparative evaluations
25%
applications
25%
power
25%
cost
25%
polarization
25%
sapphire
25%
silicon carbides
25%
indium
25%
crystal defects
25%
Material Science
Transistor
100%
Electron Mobility
100%
Aluminum Nitride
100%
Sapphire
33%
Indium
33%
Lattice Mismatch
33%