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In
0.18
Al
0.82
N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact
P. G. Chen, M. Tang, M. H. Liao,
M. H. Lee
*
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
5
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「In
0.18
Al
0.82
N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Management information systems
100%
High electron mobility transistors
93%
Substrates
42%
Lattice mismatch
36%
Ohmic contacts
30%
Sapphire
26%
Indium
26%
Polarization
18%
Throughput
14%
Hot Temperature
9%
Costs
7%
Physics & Astronomy
MIS (semiconductors)
90%
high electron mobility transistors
83%
indium
19%
electric contacts
17%
sapphire
17%
dissipation
16%
wafers
15%
polarization
10%
Chemical Compounds
Dissipation
88%
Polarization
60%
Application
25%