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Infrared reflectance analysis of GaN epitaxial layers grown on sapphire and silicon substrates
Z. C. Feng
*
,
T. R. Yang
, Y. T. Hou
*
此作品的通信作者
物理學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
15
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Infrared reflectance analysis of GaN epitaxial layers grown on sapphire and silicon substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Chemistry
Liquid Film
100%
Epitaxial Film
100%
Silicon
100%
Sapphire
100%
IR Reflectance Spectrum
100%
Structure
25%
Concentration
25%
Microstructure
25%
Thickness
25%
Compound Mobility
25%
Surface Roughness
25%
Semiconductor
25%
Interference
25%
Surface Scattering
25%
Material Science
Epilayers
100%
Epitaxial Layer
100%
Surface
33%
Film
33%
Microstructure
33%
Semiconductor Material
33%
Film Thickness
33%
Carrier Concentration
33%
Correlation
33%
Surface Roughness
33%
Carrier Mobility
33%
Theoretical Calculation
33%
Physics
Substrates
100%
Silicon
100%
Reflectance
100%
Spectra
44%
Polycrystalline
22%
Variations
11%
Model
11%
Behavior
11%
Spectral Reflectance
11%
Calculation
11%
Media
11%
Semiconductor
11%
Film Thickness
11%
Surface Roughness
11%
Interference
11%
Transfer-Matrix Method
11%
Engineering
Matrix Method
16%
Large Surface
16%
Destructive Method
16%
Interface Layer
16%
INIS
reflectance (spectral)
14%