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Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon
Ching Fuh Lin
*
, C. W. Liu, Miin Jang Chen,
M. H. Lee
, I. C. Lin
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
oxides
100%
metals
100%
silicon
100%
semiconductor materials
100%
electroluminescence
100%
emission
75%
voltage
75%
energy
50%
wavelengths
50%
interfaces
25%
temperature range 0273-0400 k
25%
oxidation
25%
luminescence
25%
Material Science
Silicon
100%
Electroluminescence
100%
Metal Oxide
100%
Oxide Semiconductor
100%
Semiconductor Structure
100%
Temperature
25%
Oxide
25%
Luminescence
25%
Metal
25%
Oxidation Reaction
25%