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Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon
Ching Fuh Lin
*
, C. W. Liu, Miin Jang Chen,
M. H. Lee
, I. C. Lin
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Electroluminescence
100%
Oxide semiconductors
75%
Infrared radiation
54%
Silicon
49%
Energy gap
48%
Metals
40%
Wavelength
37%
Electric potential
32%
Luminescence
31%
Oxidation
18%
Oxides
18%
Hot Temperature
10%
Temperature
8%
Medicine & Life Sciences
Semiconductors
90%
Silicon
77%
Oxides
76%
Metals
55%
Luminescence
35%
Hot Temperature
24%
Temperature
22%
Physics & Astronomy
metal oxide semiconductors
64%
electroluminescence
64%
electric potential
34%
silicon
34%
wavelengths
20%
disorders
16%
luminescence
16%
oxidation
15%
oxides
13%
shift
12%
energy
12%
room temperature
11%
metals
10%
Chemical Compounds
Electroluminescence
65%
Voltage
45%
Band Gap
31%
Radiative Transition
31%
Wavelength
30%
Energy
19%
Disorder
18%
Luminiscence Type
15%
Ambient Reaction Temperature
11%
Oxide
11%
Oxidation Reaction
9%
Metal
9%