Impact of Si-Based Interfacial Layer for Ferroelectric Memory

Siddheswar Maikap*, Asim Senapati, Zhao Feng Lou, Min Hung Lee*

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

摘要

Impact of sputter deposited Si-based interfacial layer (IL) in Ru/SiON(IL)/HZO/TiN structure shows long endurance of > 1010 cycles as compared to 107 cycles for the without IL memory, for the first time. Controlled oxygen vacancy in HZO film and oxygen in SiON IL observed by coercive field (Ermc) shift shows good o-phase and lower leakage current, resulting good 2Prmr value of > 28μ C/cm2.

原文英語
主出版物標題2023 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023
發行者Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
頁面57-58
頁數2
ISBN(電子)9784863488083
DOIs
出版狀態已發佈 - 2023
事件26th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023 - Kyoto, 日本
持續時間: 2023 6月 112023 6月 12

出版系列

名字2023 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023

會議

會議26th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023
國家/地區日本
城市Kyoto
期間2023/06/112023/06/12

ASJC Scopus subject areas

  • 硬體和架構
  • 電氣與電子工程
  • 安全、風險、可靠性和品質
  • 電子、光磁材料

指紋

深入研究「Impact of Si-Based Interfacial Layer for Ferroelectric Memory」主題。共同形成了獨特的指紋。

引用此