Hole confinement at Si/SiGe heterojunction of strained-Si N and PMOS devices

J. Y. Wei, S. Maikap, M. H. Lee, C. C. Lee, C. W. Liu*

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

14 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Hole confinement at Si/SiGe heterojunction of strained-Si N and PMOS devices」主題。共同形成了獨特的指紋。

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