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Hole confinement at Si/SiGe heterojunction of strained-Si N and PMOS devices
J. Y. Wei, S. Maikap,
M. H. Lee
, C. C. Lee, C. W. Liu
*
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
14
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Hole confinement at Si/SiGe heterojunction of strained-Si N and PMOS devices」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Fermi level
100%
Heterojunctions
75%
Valence bands
51%
Capacitors
45%
Oxides
24%
Capacitance
24%
Electric potential
14%
Chemical Compounds
Fermi Level
66%
Capacitor
59%
Band Offset
45%
Valence Band
31%
Simulation
18%
Oxide
15%
Physics & Astronomy
heterojunctions
50%
capacitors
33%
capacitance-voltage characteristics
23%
plateaus
18%
valence
14%
oxides
11%
simulation
7%