Highly-scaled 3.6-nm ENT trapping layer MONOS device with good retention and endurance

C. Y. Tsai, T. H. Lee, Albert Chin, Hong Wang, C. H. Cheng, F. S. Yeh

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

13 引文 斯高帕斯(Scopus)

摘要

Novel MONOS CTF, with record thinnest 3.6 nm ENT trapping layer, has a large 3.1 V 10-year extrapolated retention window at 125°C and excellent 106 endurance at a fast 100 μs and ±16 V program/erase. This is achieved using an As+-implanted higher κ trapping layer with deep 5.1 eV work-function of As. In contrast, the un-implanted device only has a small 10-year retention window of 1.9 V at 125°C.

原文英語
主出版物標題2010 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2010
頁面5.4.1-5.4.4
DOIs
出版狀態已發佈 - 2010 十二月 1
事件2010 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2010 - San Francisco, CA, 美国
持續時間: 2010 十二月 62010 十二月 8

出版系列

名字Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
ISSN(列印)0163-1918

其他

其他2010 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2010
國家/地區美国
城市San Francisco, CA
期間2010/12/062010/12/08

ASJC Scopus subject areas

  • 電子、光磁材料
  • 凝聚態物理學
  • 電氣與電子工程
  • 材料化學

指紋

深入研究「Highly-scaled 3.6-nm ENT trapping layer MONOS device with good retention and endurance」主題。共同形成了獨特的指紋。

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