High-performance gate-first epitaxial Ge n-MOSFETs on Si With LaAlO 3 gate dielectrics
- W. B. Chen
- , C. H. Cheng
- , Albert Chin
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）