High light-extraction GaN-based vertical LEDs with double diffuse surfaces

Y. J. Lee*, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

1 引文 斯高帕斯(Scopus)

摘要

High light-extraction (external quantum efficiency ∼40%) 465-nm GaN-based vertical light-emitting diodes (LEDs) employing double diffuse surfaces were fabricated. The high scattering efficiency of double diffused surfaces could be responsible for the high light output power.

原文英語
主出版物標題Conference on Lasers and Electro-Optics, 2007, CLEO 2007
DOIs
出版狀態已發佈 - 2007
對外發佈
事件Conference on Lasers and Electro-Optics, 2007, CLEO 2007 - Baltimore, MD, 美国
持續時間: 2007 五月 62007 五月 11

出版系列

名字Conference on Lasers and Electro-Optics, 2007, CLEO 2007

其他

其他Conference on Lasers and Electro-Optics, 2007, CLEO 2007
國家/地區美国
城市Baltimore, MD
期間2007/05/062007/05/11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子、光磁材料

指紋

深入研究「High light-extraction GaN-based vertical LEDs with double diffuse surfaces」主題。共同形成了獨特的指紋。

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