High light-extraction GaN-based vertical LEDs with double diffuse surfaces

Y. J. Lee, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

摘要

High light-extraction (external quantum efficiency ~40%) 465-nm GaN-based vertical light-emitting diodes (LEDs) employing double diffuse surfaces were fabricated. The high scattering efficiency of double diffused surfaces could be responsible for the high light output power.

原文英語
主出版物標題Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2007
發行者Optical Society of America
ISBN(列印)1557528349, 9781557528346
出版狀態已發佈 - 2007 一月 1
對外發佈
事件Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2007 - Baltimore, MD, 美国
持續時間: 2007 五月 62007 五月 6

出版系列

名字Optics InfoBase Conference Papers
ISSN(電子)2162-2701

其他

其他Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2007
國家/地區美国
城市Baltimore, MD
期間2007/05/062007/05/06

ASJC Scopus subject areas

  • 儀器
  • 原子與分子物理與光學

指紋

深入研究「High light-extraction GaN-based vertical LEDs with double diffuse surfaces」主題。共同形成了獨特的指紋。

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