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High ge content of SiGe channel pMOSFETs on Si (110) surfaces
M. H. Lee
, S. T. Chang
, S. Maikap
, C. Y. Peng
, C. H. Lee
光電工程學士學位學程
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
16
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「High ge content of SiGe channel pMOSFETs on Si (110) surfaces」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
surfaces
100%
germanium silicides
100%
comparative evaluations
66%
hole mobility
66%
performance
33%
saturation
33%
mobility
33%
Material Science
Surface (Surface Science)
100%
Hole Mobility
100%
Engineering
Current Drain
100%
Mobility Enhancement
100%
Chemistry
Hole Mobility
100%