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High ge content of SiGe channel pMOSFETs on Si (110) surfaces
M. H. Lee
, S. T. Chang, S. Maikap, C. Y. Peng, C. H. Lee
光電工程學士學位學程
研究成果
:
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同行評審
16
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「High ge content of SiGe channel pMOSFETs on Si (110) surfaces」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Surface
100%
Hole Mobility
100%
Saturation
50%
INIS
germanium silicides
100%
Engineering
Current Drain
50%
Mobility Enhancement
50%