摘要
We have demonstrated the 4.1-inch QVGA flexible AMOLED with bottom emission type, and the display was fabricated on 30um-thick colorless PI substrate. The a-Si:H TFT exhibited the field effect mobility of 0.43cm2/V-s, the Vth of 2.8V, the S.S. of 0.6V/decade, and the Ion/Ioff ratio is larger than 106.
原文 | 英語 |
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頁面 | 589-591 |
頁數 | 3 |
出版狀態 | 已發佈 - 2008 |
事件 | 15th International Display Workshops, IDW '08 - Niigata, 日本 持續時間: 2008 12月 3 → 2008 12月 5 |
其他
其他 | 15th International Display Workshops, IDW '08 |
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國家/地區 | 日本 |
城市 | Niigata |
期間 | 2008/12/03 → 2008/12/05 |
ASJC Scopus subject areas
- 硬體和架構
- 人機介面
- 電氣與電子工程
- 電子、光磁材料