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Hall effect, magnetoresistivity and magnetic properties of MgB
2
thin films with AlN buffer layers
G. Ilonca
*
,
T. R. Yang
, A. V. Pop, P. Balint, M. Bodea, E. MacOcian
*
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物理學系
研究成果
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指紋
指紋
深入研究「Hall effect, magnetoresistivity and magnetic properties of MgB
2
thin films with AlN buffer layers」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Mathematics
MgB2
100%
Hall Effect
78%
Magnetic Properties
76%
Thin Films
58%
Buffer
54%
Substrate
54%
Sapphire
44%
Sputtering
41%
Critical Temperature
33%
Irreversibility
33%
Penetration
30%
Probe
28%
Anisotropy
26%
Coefficient
23%
Magnetic Field
22%
Target
20%
Dependent
15%
Aluminum Nitride
7%
Physics & Astronomy
magnetoresistivity
63%
aluminum nitrides
53%
Hall effect
42%
buffers
39%
magnetic properties
32%
thin films
24%
critical current
21%
critical temperature
20%
sapphire
19%
penetration
19%
sputtering
18%
current density
16%
anisotropy
14%
temperature
13%
coefficients
12%
magnetic fields
11%