Growth of zinc blende-GaN on β-SiC coated (001) Si by molecular beam epitaxy using a radio frequency plasma discharge, nitrogen free-radical source

H. Liu*, A. C. Frenkel, J. G. Kim, R. M. Park

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

99 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Growth of zinc blende-GaN on β-SiC coated (001) Si by molecular beam epitaxy using a radio frequency plasma discharge, nitrogen free-radical source」主題。共同形成了獨特的指紋。

Physics & Astronomy