Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si layer for strained Si n-MOSFETs
- P. S. Chen*
- , S. W. Lee
- , M. H. Lee
- , C. W. Liu
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）