First Stacked Nanosheet FeFET Featuring Memory Window of 1.8V at Record Low Write Voltage of 2V and Endurance >1E11 Cycles
- Yu Rui Chen*
- , Yi Chun Liu
- , Zefu Zhao
- , Wan Hsuan Hsieh
- , Jia Yang Lee
- , Chien Te Tu
- , Bo Wei Huang
- , Jer Fu Wang
- , Shee Jier Chueh
- , Yifan Xing
- , Guan Hua Chen
- , Hung Chun Chou
- , Dong Soo Woo
- , M. H. Lee
- , C. W. Liu*
*此作品的通信作者
研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章
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引文
斯高帕斯（Scopus）