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Ferroelectric gate tunnel field-effect transistors with low-power steep turn-on
M. H. Lee
*
, Y. T. Wei, J. C. Lin, C. W. Chen, W. H. Tu, M. Tang
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
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同行評審
44
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Ferroelectric gate tunnel field-effect transistors with low-power steep turn-on」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Physics & Astronomy
tunnels
100%
field effect transistors
84%
slopes
80%
electric potential
57%
capacitance
42%
augmentation
32%
polarization
28%