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Electrooptical properties of the Si δ-doped GaAs/AlGaAs triple-barrier resonant tunneling structure
Chien Rong Lu
*
, Szu Ku Du, Jia Lian Chang
*
此作品的通信作者
物理學系
研究成果
:
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Electrooptical properties of the Si δ-doped GaAs/AlGaAs triple-barrier resonant tunneling structure」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
barriers
100%
doped materials
100%
tunneling
100%
gallium arsenides
100%
energy
50%
electric fields
50%
resonance
25%
nanostructures
25%
temperature range 0273-0400 k
25%
spectra
25%
electrons
25%
spectroscopy
25%
photons
25%
quantum wells
25%
Physics
Resonant Tunneling
100%
Electric Fields
66%
Room Temperature
33%
Spectra
33%
Gaps
33%
Sides
33%
Spectrometer
33%
Spectroscopy
33%
Photons
33%
Electrons
33%
Quantum Wells
33%
Optical Transition
33%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Aluminium Gallium Arsenide
100%
Temperature
50%
Nanocrystalline Material
50%
Electronics
50%
Quantum Well
50%
Chemistry
Subband
100%
Potential Well
33%
Optical Transition
33%