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Electrical characteristics and reliability properties of metal-oxide-semiconductor capacitors with HfZrLaO gate dielectrics
C. H. Liu
*
, H. W. Chen
*
此作品的通信作者
機電工程學系
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Electrical characteristics and reliability properties of metal-oxide-semiconductor capacitors with HfZrLaO gate dielectrics」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
reliability
100%
oxides
100%
metals
100%
dielectrics
100%
capacitors
100%
semiconductor materials
100%
breakdown
60%
time dependence
60%
lifetime
40%
deposition
20%
layers
20%
voltage
20%
acceleration
20%
thickness
20%
current density
20%
leakage current
20%
activation energy
20%
Material Science
Electrical Property
100%
Dielectric Material
100%
Capacitor
100%
Metal Oxide
100%
Oxide Semiconductor
100%
Electrical Breakdown
100%
Oxide
33%
Density
33%
Percolation
33%
Activation Energy
33%
Engineering
Reliability
100%
Gate Dielectric
100%
Dielectrics
100%
Models
66%
Density
33%
Electric Potential
33%
Experimental Result
33%
Atomic Layer Deposition
33%
Fields
33%
Oxide Thickness
33%
Activation Energy
33%
Stress Condition
33%
Physics
Dielectrics
100%
Capacitor
100%
Time Dependence
100%
Model
66%
Area
33%
Behavior
33%
Oxide
33%
Parameter
33%
Electric Potential
33%
Atomic Layer Epitaxy
33%
Percolation
33%