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Electrical and optical reliability improvement of HfO
2
gate dielectric by deuterium and hydrogen incorporation
C. Y. Yu
*
, T. C. Chen,
M. H. Lee
, S. H. Huang, L. S. Lee, C. W. Liu
*
此作品的通信作者
研究成果
:
會議貢獻類型
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會議論文
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Electrical and optical reliability improvement of HfO
2
gate dielectric by deuterium and hydrogen incorporation」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
annealing
20%
comparative evaluations
20%
deuterium
100%
devices
20%
dielectrics
100%
hydrogen
100%
reliability
100%
stacks
60%
Engineering
Reliability Improvement
100%