Effects of zirconium substitution on the electrical and physical properties of metal-ferroelectric (BiFeO3)-insulator (HfO2)-silicon structures for non-volatile memories
P. C. Juan*, C. L. Sun, C. H. Liu, C. L. Lin, F. C. Mong, J. H. Huang, H. S. Chang
*此作品的通信作者
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引文
斯高帕斯（Scopus）