Effects of zirconium substitution on the electrical and physical properties of metal-ferroelectric (BiFeO3)-insulator (HfO2)-silicon structures for non-volatile memories
- P. C. Juan*
- , C. L. Sun
- , C. H. Liu
- , C. L. Lin
- , F. C. Mong
- , J. H. Huang
- , H. S. Chang
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
6
連結會在新分頁中開啟
引文
斯高帕斯（Scopus）