Design of a 9-25 GHz broadband low noise amplifier using 0.15-μm GaAs HEMT process

Jeng Han Tsai*, Ji Yang Lin, Kun Yao Ding

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

8 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Design of a 9-25 GHz broadband low noise amplifier using 0.15-μm GaAs HEMT process」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Engineering