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Crystalline phase separation of InGaN layer materials prepared by metalorganic chemical vapor deposition
Zhe Chuan Feng
*
,
Tzuen Rong Yang
, Rong Liu, Andrew Thye Shen Wee
*
此作品的通信作者
物理學系
研究成果
:
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同行評審
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指紋
指紋
深入研究「Crystalline phase separation of InGaN layer materials prepared by metalorganic chemical vapor deposition」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
layers
100%
gallium nitrides
100%
photoluminescence
100%
chemical vapor deposition
100%
data
66%
ions
66%
films
66%
emission
66%
mass spectrometry
66%
concentration
33%
resolution
33%
distribution
33%
microstructure
33%
power
33%
growth
33%
interfaces
33%
sapphire
33%
doped materials
33%
x-ray diffraction
33%
interference
33%
thin films
33%
organometallic compounds
33%
excitation
33%
energy range
33%
Material Science
Material
100%
Photoluminescence
100%
Crystalline Material
100%
Chemical Vapor Deposition
100%
Secondary Ion Mass Spectrometry
66%
Sapphire
33%
Thin Films
33%
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
33%
High Resolution X-Ray Diffraction
33%
Chemistry
Phase Separation
100%
Metallorganic Chemical Vapor Deposition
100%
Photoluminescence
50%
Liquid Film
50%
Secondary Ion Mass Spectroscopy
33%
Concentration
16%
Energy
16%
Interference
16%
Engineering
Material Layer
100%
Prepared Material
100%
Crystalline Phase
100%