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Correlation between gap state density and bias stress reliability of nanocrystalline TFTs comparing with hydrogenated amorphous silicon TFTs
M. H. Lee
*
, C. W. Tai, J. J. Huang
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Correlation between gap state density and bias stress reliability of nanocrystalline TFTs comparing with hydrogenated amorphous silicon TFTs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
correlations
100%
density
100%
reliability
100%
transistors
100%
thin films
100%
hydrogenation
100%
silicon
100%
traps
75%
carriers
50%
distribution
25%
instability
25%
layers
25%
mobility
25%
voltage
25%
density of states
25%
Material Science
Density
100%
Thin-Film Transistor
100%
Correlation
100%
Nanocrystalline
100%
Amorphous Silicon
100%
Electrical Property
50%
Temperature
25%
Hot Carrier
25%
Electronics
25%
Amorphous Material
25%