Comparison of NMOSFET and PMOSFET devices that combine CESL stressor and SiGe channel
- H. W. Hsu
- , H. S. Huang
- , C. C. Lee
- , S. Y. Chen
- , H. H. Teng
- , M. R. Peng
- , M. C. Wang
- , C. H. Liu*
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）