Comparison of NMOSFET and PMOSFET devices that combine CESL stressor and SiGe channel

H. W. Hsu, H. S. Huang, C. C. Lee, S. Y. Chen, H. H. Teng, M. R. Peng, M. C. Wang, C. H. Liu*

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

6 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Comparison of NMOSFET and PMOSFET devices that combine CESL stressor and SiGe channel」主題。共同形成了獨特的指紋。

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