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Characterization of silicon-carbon alloy materials for future strained Si metal oxide semiconductor field effect transistors
B. F. Hsieh, S. T. Chang
*
,
M. H. Lee
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
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›
期刊論文
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同行評審
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Characterization of silicon-carbon alloy materials for future strained Si metal oxide semiconductor field effect transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
alloys
100%
carbon
100%
carbon sources
25%
chemical vapor deposition
25%
control
50%
devices
50%
distribution
25%
electron mobility
25%
electrons
25%
epitaxy
25%
field effect transistors
100%
heat treatments
25%
layers
100%
mapping
25%
metals
100%
mobility
50%
oxides
100%
processing
25%
randomness
25%
relaxation
25%
scattering
25%
semiconductor materials
100%
silanes
25%
silicon
100%
silicon oxides
25%
space
25%
strains
50%
substrates
50%
surfaces
25%
temperature range 0273-0400 k
25%
thin films
25%
ultrahigh vacuum
25%
Material Science
Alloy
100%
Characterization
100%
Chemical Vapor Deposition
25%
Control Component
25%
Devices
25%
Electron Mobility
25%
Material
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Silane
25%
Silicon
100%
Strain
50%
Strained Silicon
25%
Surface
25%
Temperature
50%
Thin Films
25%
Type Metal
75%
Engineering
Mapping Method
25%
Random Alloy
25%