Characteristics of strained-germanium p- and n-channel field effect transistors on a Si (1 1 1) substrate

S. Maikap*, M. H. Lee, S. T. Chang, C. W. Liu

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

27 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Characteristics of strained-germanium p- and n-channel field effect transistors on a Si (1 1 1) substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。

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