Bilayer-based antiferroelectric HfZrO2tunneling junction with high tunneling electroresistance and multilevel nonvolatile memory
K. Y. Hsiang, C. Y. Liao, J. H. Liu, J. F. Wang, S. H. Chiang, S. H. Chang, F. C. Hsieh, H. Liang, C. Y. Lin, Z. F. Lou, T. H. Hou, C. W. Liu, M. H. Lee*
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
26
引文
斯高帕斯（Scopus）