Analysis of Si:C on relaxed SiGe by reciprocal space mapping for MOSFET applications

M. H. Lee, P. G. Chen, S. T. Chang

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

3 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Analysis of Si:C on relaxed SiGe by reciprocal space mapping for MOSFET applications」主題。共同形成了獨特的指紋。

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