Achieving low sub-0.6-nm EOT in gate-first n-MOSFET with TiLaO/CeO 2 gate stack

C. H. Cheng*, K. I. Chou, Albert Chin

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

3 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Achieving low sub-0.6-nm EOT in gate-first n-MOSFET with TiLaO/CeO 2 gate stack」主題。共同形成了獨特的指紋。

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