A World First QLC RRAM: Highly Reliable Resistive-Gate Flash with Record 108Endurance and Excellent Retention

  • M. Y. Li
  • , J. P. Lee
  • , C. H. Liu
  • , J. C. Guo
  • , Steve S. Chung*
    • *此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章

2 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「A World First QLC RRAM: Highly Reliable Resistive-Gate Flash with Record 108Endurance and Excellent Retention」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

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