A World First QLC RRAM: Highly Reliable Resistive-Gate Flash with Record 108Endurance and Excellent Retention

M. Y. Li, J. P. Lee, C. H. Liu, J. C. Guo, Steve S. Chung*

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章

1 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「A World First QLC RRAM: Highly Reliable Resistive-Gate Flash with Record 108Endurance and Excellent Retention」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Computer Science

Engineering