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A comprehensive study of inversion current in MOS tunneling diodes
C. H. Lin, B. C. Hsu,
M. H. Lee
, C. W. Liu
*
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
34
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「A comprehensive study of inversion current in MOS tunneling diodes」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Activation energy
25%
Diodes
90%
Doping (additives)
27%
Electric potential
12%
Electrons
24%
Energy gap
27%
Hot Temperature
11%
Lighting
19%
Silicon
19%
Substrates
69%
Temperature
19%
Chemical Compounds
Band Gap
14%
Electron Particle
10%
Illumination
17%
Reaction Activation Energy
13%
Tunneling
100%
Voltage
14%