A 68-83 GHz power amplifier in 90 nm CMOS

Jeffrey Lee*, Chung Chun Chen, Jen Han Tsai, Kun You Lin, Huei Wang

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

22 引文 斯高帕斯(Scopus)

摘要

A balanced PA covering 68-83 GHz is developed in 90nm CMOS. Using wideband power matching topology, the PA achieves power gain of greater than 18.1 dB from 68 to 83 GHz and gain flatness within 0.2 dB from 68 to 78 GHz. The PA has a maximum saturation output power of 14dBm at 70 GHz, and greater than 11.8 dBm from 68 to 83 GHz. The best P1dB is 12 dBm at 68 GHz, and greater than 8.3 dBm from 68 to 83 GHz.

原文英語
主出版物標題IMS 2009 - 2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
頁面437-440
頁數4
DOIs
出版狀態已發佈 - 2009 十二月 1
事件2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2009 - Boston, MA, 美国
持續時間: 2009 六月 72009 六月 12

出版系列

名字IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
ISSN(列印)0149-645X

其他

其他2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2009
國家/地區美国
城市Boston, MA
期間2009/06/072009/06/12

ASJC Scopus subject areas

  • 輻射
  • 凝聚態物理學
  • 電氣與電子工程

指紋

深入研究「A 68-83 GHz power amplifier in 90 nm CMOS」主題。共同形成了獨特的指紋。

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