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5.3 GHz 42% PAE class-E power amplifier with 532 mW/mm2 power area density in 180 nm CMOS process

  • H. Alsuraisry
  • , M. H. Wu
  • , P. S. Huang
  • , J. H. Tsai
  • , T. W. Huang*
  • *此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

7   連結會在新分頁中打開 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「5.3 GHz 42% PAE class-E power amplifier with 532 mW/mm2 power area density in 180 nm CMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。
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