(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體

高 證穎, 曾 偉寧, 沈 正都, 羅 廣禮, 李 敏鴻

    研究成果: 雜誌貢獻文章

    摘要

    將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性,利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊,閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響,相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON),(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile),都是可能可以解釋的原因。
    原文Chinese
    頁(從 - 到)14-19
    頁數6
    期刊國家奈米元件實驗室奈米通訊
    18
    發行號2
    DOIs
    出版狀態已發佈 - 2011

    Keywords

    • 方向
    • 穿隧
    • 次臨界擺幅
    • Orientation
    • Tunneling
    • Subthreshold Swing

    引用此