摘要
結合超薄氧化矽鉿(HfSiO(下標 x))及金屬閘極(TiN)之多晶矽薄膜電晶體，其次臨界擺幅可達193 mV/dec，其製程溫度最高為700℃，適合應用於單片式三維積體電路(Monolithic 3D-IC)及Silicon-on-Glass(SOG)。長通道多晶矽薄膜電晶體有較多晶粒邊界而影響其載子傳遞，因此有較高的汲極(Drain)電流雜訊密度(S(下標 ID))及較小的指數因數(γ)，同時在其能隙狀態密度也可證實同樣的結果。此元件在高效能電路設計及應用發展上提供一個解決方案。
| 原文 | 繁體中文 |
|---|---|
| 頁（從 - 到） | 24-29 |
| 頁數 | 6 |
| 期刊 | 國家奈米元件實驗室奈米通訊 |
| 卷 | 18 |
| 發行號 | 1 |
| DOIs | |
| 出版狀態 | 已發佈 - 2011 |
Keywords
- 多晶矽
- 高介電材質
- 氧化矽鉿
- 次臨界擺幅
- Poly-Si
- High-κ
- HfSiO(subscript x)
- Subthreshold Swing