忠諺 楊
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
利用在矽基板上Si(上標 +)預離子佈置來提高GeSi緩衝層的鬆驰以利Ge的成長. / 忠諺楊.
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TY - JOUR
T1 - 利用在矽基板上Si(上標 +)預離子佈置來提高GeSi緩衝層的鬆驰以利Ge的成長
AU - 忠諺, 楊
PY - 2008
Y1 - 2008
M3 - 期刊論文
JO - 國家奈米元件實驗室newsletter
JF - 國家奈米元件實驗室newsletter
IS - 12
ER -