使用90nm CMOS製程設計一轉換增益24.6±1.5 dB、雜訊指數5.6±0.8 dB及34.4mW之58~66GHz接收機前端電路

仁豪 李

研究成果: 雜誌貢獻文章

原文Chinese
期刊國家奈米元件實驗室奈米通訊
22
發行號3
出版狀態已發佈 - 2015

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