UV脈衝雷射應用於IC修補製程及系統技術開發

研究計畫: 政府部門科技部計畫

專案詳細資料

說明

近年來,半導體已隨著新一代技術的不斷按比例縮小而發展,藉由微電子技術的發展,小尺寸、高性能和低成本的電子產品已成為在市場上生存的基本要求。本研究提出利用UV紫外線波段(λ=355 nm)之奈秒脈衝雷射(Nanosecond pulse laser)製程技術,以進行改善薄膜IC晶片電特性的方法。本研究會最佳化調控制雷射製程參數,在多層堆疊(Multilayer stacks)結構上移除鋁電極層,以提高元件效率的可行性。本研究結果顯示在10.75 J / cm2的雷射剝離製程後,其元件的電阻值會為20 kΩ,證明可成功降低電阻,即增強IC元件的電特性。換言之,本研究將可建置UV雷射應用於IC修補系統測試之平臺技術,進而提高半導體IC元件及3D IC製作及應用開發的產業能力。
狀態已完成
有效的開始/結束日期2019/06/012020/08/31

Keywords

  • UV脈衝雷射製程; 電路修補; 電性量測; 多層堆疊結構; IC元件

指紋

探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。