3R堆疊二維鐵電材料之合成及其關鍵元件開發(3/3)

本計畫的目標是發展一套可穩定成長具介面鐵電性的二維材料之合成方法，並以菱方堆疊（3R 結構）的凡德瓦材料為基礎，開發鐵電元件。在三年的研究中，我們已成功釐清材料成長機制，並展示了基於 3R 雙層 MoS₂ 的非揮發性鐵電記憶體元件。相關成果已發表於 Nature Electronics（第7卷，第29–38頁，2024年）。目前也正朝大面積成長的技術發展，期望將來可以實際用於產業界。