專案詳細資料
說明
本一年期之計畫預備開發應用於5G行動通訊之毫米波高效率功率放大器晶片與其線性化技術,實現的方法將使用砷化鎵假晶高速電子移動電晶體(GaAs pHEMT)製程與互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程技術。總計我們在這一年中,成功的開發出一個使用0.15 μm GaAs pHEMT 製程研製輸出功率達29.6 dBm的28-30 GHz功率放大器。一個在28 nm CMOS製程上研製的小晶片面積高效率(40.7%)高功率密度的27 GHz功率放大器,一個在0.18 μm CMOS上利用電流合成變壓器功率合併技術的28 GHz功率放大器,一個在65 nm CMOS製程上研製的小晶片面積高功率密度的38 GHz功率放大器,實驗結果顯示模擬與量測相當一致,這也代表本實驗室建立的毫米波功率放大器積體電路模擬與系統設計平台是相當準確且可靠的。此外,我們也針對毫米波功率放大器線性化技術進行研究,並成功開發一個適用於毫米波功率放大器線性化的冷模疊階組態線性器電路架構,我們在0.18 μm CMOS製程上研製具此線性器電路的27 GHz功率放大器與一個在65 nm CMOS製程上具此線性器電路的38 GHz功率放大器。目前這些積體電路電路都已完成設計,模擬,佈局,且透過台灣半導體研究中心(TSRI) 送到台灣積體電路公司(TSMC)與穩懋半導體公司(WIN)下線製作,並在台灣半導體研究中心(TSRI)與本校實驗室完成量測,部分成果已投稿於國際知名SCI期刊與EI國際會議論文。
狀態 | 已完成 |
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有效的開始/結束日期 | 2018/08/01 → 2019/10/31 |
Keywords
- 第五代行動通訊,28 GHz,功率放大器,高效率,線性化
指紋
探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。