應用於5G行動通訊之28GHz相位陣列收發器電路技術研發

本兩年期之計畫目標開發應用於5G FR2之毫米波相位陣列收發器之關鍵積體電路與技術，實現的方法將使用互補式金氧半 (CMOS)與砷化鎵(GaAs)製程技術，目前已經完成了毫米波相移器、可變增益放大器、低雜訊放大器、與功率放大器這些積體電路的電路設計，特性模擬，電路佈局，且透過台灣半導體研究中心(TSRI)將電路送到TSMC與WIN下線製作，並完成量測。此外我們也針對毫米波相位陣列收發器中關鍵技術進行研究，包括可變增益放大器之高可變增益範圍低相位變化電路技術、相移器之低置入損耗低相位誤差低大小變化電路技術，並且完成了一個在目前已發表文獻28 GHz全數位控制相移器中，相位誤差最低的相移器，一個相位誤差最低且寬頻最寬可涵蓋28 GHz/39 GHz頻段之相移器，與一在可調的增益範圍內達到相當低的相位變異的數位電流汲取可變增益放大器的電路技術。部分成果已投稿並接受於國際知名SCI期刊與EI國際會議論文。此外，本計畫所開發的低相位變異之數位電流汲取可變增益放大器架構已申請美國與中華民國專利，並獲得通過。