子計畫四：次世代無線通訊晶片之靜電放電防護技術開發

由於次世代無線通訊晶片將大量使用先進的CMOS、甚至FinFET製程技術，來達到低功耗或高速傳輸的電路特性。然而，隨著積體電路的微縮化與操作頻率的提高，靜電放電 (electrostatic discharge, ESD) 防護已成為積體電路產品可靠度中相當艱鉅的挑戰，大多數積體電路產品的故障與損壞均與遭受靜電放電轟擊有關，晶片品質與可靠度的問題將是次世代無線通訊晶片設計的重要議題，世界先進國家的各大廠商在靜電放電防護上的研究也更趨熱烈，各式各樣的技術都被提出用在靜電放電防護上。本計畫將針對次世代無線通訊晶片之射頻積體電路，設計全積體電路式之靜電放電防護的解決方案，以達成元件層級與系統層級之全晶片靜電放電防護設計。