子計畫二：鐵電鉿基氧化物之負電容特性研究及相關應用(2/2)

首次證明準反鐵電Hf1-xZrxO2 (QAFE-HZO, Zr=75%)負電容電晶體在低起始電壓(Onset Voltage)和高速響應上，具有正反掃次臨界擺幅小於60mv/dec且沒有遲滯現象產生(SSfor=51mV/dec, SSrev=53mV/dec, VT<1mV)，並且表現出明顯的N-DIBL和的NDR以確認QAFE-HZO的負電容效應。與伴隨不可忽略的遲滯現象的FE-HZO（Zr = 50％）相比，QAFE-HZO存在沒有遲滯的陡峭次臨界擺幅操作空間。QAFE-HZO也適用於n型和p型通道的電晶體，電壓暫態響應表明NC-time改善了48％-77％。此外，正反掃時負dQ / dVFE區間的VFE重疊，也證明了QAFE-HZO沒有遲滯。