奈米碳管微電路焊接技術開發

有鑒奈米碳管以及奈米表面修飾對近代科技發展之重要性，本計畫除延續前期計劃，對具有光磁轉換表面持續進行製備探討外，更對如何將這些奈米物建製備成為奈米微電路進行探究，其中關鍵是如何對奈米碳管進行「微焊接」。實驗顯示AFM dip-pen技術(dip-pen lithography，簡稱DPN)是具有應用潛力的微電路焊接術，而吩噻嗪化合物(phenothiazine)，如thionine(簡稱TN)，是進行「微焊接」的有效焊錫。實驗顯示：若將一支半導體級的CNT置於兩支ITO電極之間，再以AFM探針沾取TN，將之移至一支ITO電極上方時，若對之施予一定偏壓(如-7 V)，TN會被氧化而聚合，進而將CNT固定於ITO電極上。current-voltage (I–Vsource) curves測量顯示：在電壓4.5 V處，未焊接與僅焊接於一支電極以及焊接於兩支電極的電流比約為1 : 1 : 5，顯示TN可有效降低CNT與ITO間的junction resistance，據此，本研究所發展出的AFM DPN技術具有作為微焊接的應用潛力。