專案詳細資料
說明
本計畫規劃開發具「線上高頻淺層改質輔助製程之高精密研削系統」,並利用此一系統,進行單晶鑽石探針的快速成型技術研究,以建立國人在關鍵單晶鑽石工具開發的高度自主技術能力。計畫目標在針對「針尖圓弧半徑1 µm」的單晶鑽石探針,以線上高頻淺層改質之輔助製程,進行快速研磨成形研究。為獲得高效能的單晶鑽石探針之成形加工,本研究提出一種「避熱式旋轉放電法(Heat-prevented rotation wire electrical discharge machining, Heat-prevented RWEDM)」,透由避熱路徑演算法,計算出銅線放電加工的最佳路徑,以便對真空焊接(Vacuum brazing)完成的含硼單晶鑽石(Boron-doped monocrystalline diamond, BD-MCD)進行旋轉式放電熔蝕加工。高溫火花熔蝕可無視於鑽石的高硬度,探針素材能被快速旋轉熔蝕至針尖10 µm的雛形,除了可移除鑽石與基材的大部分材料外,更可避免鑽石因高熱而脫離母材的問題,由於鑽石有最高的硬度,因此透由高溫熔蝕加工,著實能大幅減少鑽石後續研磨加工的時間。完成的鑽石探針雛型,續以所研發的「高精密研削系統」,以陶瓷結合劑鑽石磨輪進行切線式的粗加工、精加工研光及拋光。實驗發現,經由高頻淺層改質輔助製程後的鑽石表面,因高溫使得探針表面由sp3的鑽石結構降至sp2的石墨化層結構,有利於後續研磨過程中的潤滑。於研磨的最終階段,添加#14,000超微磨粒,並以進給深度0.1 µm/stroke進行精拋光,可使鑽石探針針尖半徑達1.0 µm,表面粗糙度達Ra86 nm,全程耗時僅2小時36分鐘。比起傳統僅以研磨方式成形,效率提高54%。最後由表面粗糙度量測儀對成形的鑽石探針進行量測驗證,證實本製品的量測結果能達JIS 2001規範的標準差範圍,顯示本計畫所開發的單晶鑽石探針,能應用於商用的表面粗糙度量測儀的量測,研究所提方法具「技術自主」及「商業化」價值。
狀態 | 已完成 |
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有效的開始/結束日期 | 2017/08/01 → 2019/09/30 |
Keywords
- 高頻電源
- 淺層改質輔助製程
- 切線式精研
- 單晶鑽石
指紋
探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。