李 敏鴻

研究成果

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• 2017

  In_0.18Al_0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact

  Chen, P. G., Tang, M., Liao, M. H. & Lee, M. H., 2017 3月 1, 於: Solid-State Electronics. 129, p. 206-209 4 p.

  研究成果: 雜誌貢獻 › 通訊期刊論文 › 同行評審

  • gallium nitrides 100%
  • transistors 100%
  • electron mobility 100%
  • aluminium nitrides 100%
  • Transistor 100%
  5 引文 斯高帕斯（Scopus）