Min-Hung Lee

2007

Hole mobility enhancement of Si_0.2Ge_0.8 quantum well channel on Si

Peng, C. Y., Yuan, F., Yu, C. Y., Kuo, P. S., Lee, M. H., Maikap, S., Hsu, C. H. & Liu, C. W., 2007, 於: Applied Physics Letters. 90, 1, 012114.

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27 引文斯高帕斯（Scopus）

Hydrogenated amorphous silicon thin film transistor fabricated on glass and polyimide substrate at 200°C

Huang, J. J., Lee, M. H., Tsai, C. J. & Yeh, Y. H., 2007 3月 16, 於: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 46, 3 B, p. 1295-1298 4 p.

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14 引文斯高帕斯（Scopus）

軟性顯示器之開發與進展

李敏鴻, 2007, 於: 國家奈米元件實驗室奈米通訊. 14, 2, p. 35-41 7 p.

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軟性顯示器之開發與進展

李敏鴻, 2007, 於: 國家奈米元件實驗室奈米通訊. 14, 1, p. 35-41 7 p.

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2006

Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si layer for strained Si n-MOSFETs

Chen, P. S., Lee, S. W., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2006 4月 1, 於: Semiconductor Science and Technology. 21, 4, p. 479-485 7 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Hole confinement at Si/SiGe heterojunction of strained-Si N and PMOS devices

Wei, J. Y., Maikap, S., Lee, M. H., Lee, C. C. & Liu, C. W., 2006 2月, 於: Solid-State Electronics. 50, 2, p. 109-113 5 p.

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15 引文斯高帕斯（Scopus）

Phase field modeling of convective and morphological instability during directional solidification of an alloy

Lan, C. W., Lee, M. H., Chuang, M. H. & Shih, C. J., 2006 10月 1, 於: Journal of Crystal Growth. 295, 2, p. 202-208 7 p.

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31 引文斯高帕斯（Scopus）

Phase field modeling of excimer laser crystallization of thin silicon films on amorphous substrates

Shih, C. J., Fang, C. H., Lu, C. C., Wang, M. H., Lee, M. H. & Lan, C. W., 2006, 於: Journal of Applied Physics. 100, 5, 053504.

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13 引文斯高帕斯（Scopus）

Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si _1-xGe_x/Si nMOSFETs with HfO₂ gate dielectric

Yeo, C. C., Cho, B. J., Lee, M. H., Liu, C. W., Choi, K. J. & Lee, T. W., 2006 5月 1, 於: Semiconductor Science and Technology. 21, 5, p. 665-669 5 p.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

2005

Abnormal hole mobility of biaxial strained Si

Liao, M. H., Chang, S. T., Lee, M. H., Maikap, S. & Liu, C. W., 2005 9月 15, 於: Journal of Applied Physics. 98, 6, 066104.

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19 引文斯高帕斯（Scopus）

A simple approach toward quantitative phase field simulation for dilute-alloy solidification

Shih, C. J., Lee, M. H. & Lan, C. W., 2005 9月 1, 於: Journal of Crystal Growth. 282, 3-4, p. 515-524 10 p.

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11 引文斯高帕斯（Scopus）

Electron mobility enhancement using ultrathin pure Ge on Si substrate

Yeo, C. C., Cho, B. J., Gao, F., Lee, S. J., Lee, M. H., Yu, C. Y., Liu, C. W., Tang, L. J. & Lee, T. W., 2005 10月, 於: IEEE Electron Device Letters. 26, 10, p. 761-763 3 p.

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55 引文斯高帕斯（Scopus）

Growth of strained Si on high-quality relaxed Si1-x Gex with an intermediate Si1-y Cy layer

Lee, S. W., Chueh, Y. L., Chen, L. J., Chou, L. J., Chen, P. S., Lee, M. H., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 2005 7月, 於: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 23, 4, p. 1141-1145 5 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs

Chang, S. T., Liu, Y. H., Lee, M. H., Lu, S. C. & Tsai, M. J., 2005 2月, 於: Materials Science in Semiconductor Processing. 8, 1-3 SPEC. ISS., p. 289-294 6 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Quantitative phase field simulation of deep cells in directional solidification of an alloy

Lan, C. W., Shih, C. J. & Lee, M. H., 2005 5月, 於: Acta Materialia. 53, 8, p. 2285-2294 10 p.

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34 引文斯高帕斯（Scopus）

Threading dislocation induced low frequency noise in strained-Si nMOSFETs

Hua, W. C., Lee, M. H., Chen, P. S., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 2005 9月, 於: IEEE Electron Device Letters. 26, 9, p. 667-669 3 p.

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34 引文斯高帕斯（Scopus）

Ultra-high-vacuum chemical vapor deposition of hetero-epitaxial Si _1-x-yGe_xC_y thin films on Si(0 0 1) with ethylene (C₂H₄) precursor as carbon source

Chen, P. S., Lee, S. W., Liu, Y. H., Lee, M. H., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 2005 2月, 於: Materials Science in Semiconductor Processing. 8, 1-3 SPEC. ISS., p. 15-19 5 p.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

2004

Evidence of SiSiGe heterojunction roughness scattering

Liu, C. W., Lee, M. H., Lee, Y. C., Chen, P. S., Yu, C. Y., Wei, J. Y. & Maikap, S., 2004 11月, 於: Applied Physics Letters. 85, 21, p. 4947-4949 3 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Ge outdiffusion effect on flicker noise in strained-Si nMOSFETs

Hua, W. C., Lee, M. H., Chen, P. S., Maikap, S., Liu, C. W. & Chen, K. M., 2004 10月, 於: IEEE Electron Device Letters. 25, 10, p. 693-695 3 p.

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59 引文斯高帕斯（Scopus）

Mechanically Strained Strained-Si NMOSFETs

Maikap, S., Yu, C. Y., Jan, S. R., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2004 1月, 於: IEEE Electron Device Letters. 25, 1, p. 40-42 3 p.

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24 引文斯高帕斯（Scopus）

2003

Reliability improvement of rapid thermal oxide using gas switching

Lee, M. H., Yu, C. Y., Yuan, F., Chen, K. F., Lai, C. C. & Liu, C. W., 2003 11月, 於: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 16, 4, p. 656-659 4 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Strain-induced growth of SiO₂ dots by liquid phase deposition

Liu, C. W., Hsu, B. C., Chen, K. F., Lee, M. H., Shie, C. R. & Chen, P. S., 2003 1月 27, 於: Applied Physics Letters. 82, 4, p. 589-591 3 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

2002

Roughness-enhanced reliability of MOS tunneling diodes

Lin, C. H., Yuan, F., Shie, C. R., Chen, K. F., Hsu, B. C., Lee, M. H., Pai, W. W. & Liu, C. W., 2002 7月, 於: IEEE Electron Device Letters. 23, 7, p. 431-433 3 p.

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6 引文斯高帕斯（Scopus）

The roughness-enhanced light emission from metal-oxide-silicon light-emitting diodes using very high vacuum prebake

Lee, M. H., Chen, K. F., Lai, C. C., Liu, C. W., Pai, W. W., Chen, M. J. & Lin, C. F., 2002 3月 15, 於: Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters. 41, 3 B, p. L326-L328

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10 引文斯高帕斯（Scopus）

2001

A comprehensive study of inversion current in MOS tunneling diodes

Lin, C. H., Hsu, B. C., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2001 9月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 48, 9, p. 2125-2130 6 p.

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40 引文斯高帕斯（Scopus）

A novel illuminator design in a rapid thermal processor

Lee, M. H. & Liu, C. W., 2001 5月, 於: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 14, 2, p. 152-156 5 p.

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6 引文斯高帕斯（Scopus）

Carrier lifetime measurement on electroluminescent metal-oxide-silicon tunneling diodes

Chen, M. J., Lin, C. F., Lee, M. H., Chang, S. T. & Liu, C. W., 2001 10月 1, 於: Applied Physics Letters. 79, 14, p. 2264-2266 3 p.

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10 引文斯高帕斯（Scopus）

Correlation between Si-H/D bond desorption and injected electron energy in metal-oxide-silicon tunneling diodes

Lin, C. H., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2001 1月 29, 於: Applied Physics Letters. 78, 5, p. 637-639 3 p.

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10 引文斯高帕斯（Scopus）

Enhanced reliability of electroluminescence from metal-oxide-silicon tunneling diodes by deuterium incorporation

Liu, C. W., Lin, C. H., Lee, M. H., Chang, S. T., Liu, Y. H., Chen, M. J. & Lin, C. F., 2001 3月 5, 於: Applied Physics Letters. 78, 10, p. 1397-1399 3 p.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

Novel methods to incorporate deuterium in the MOS structures

Lee, M. H., Lin, C. H. & Liu, C. W., 2001 11月, 於: IEEE Electron Device Letters. 22, 11, p. 519-521 3 p.

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9 引文斯高帕斯（Scopus）

2000

Electroluminescence at si band gap energy based on metal-oxide-silicon structures

Lin, C. F., Liu, C. W., Chen, M. J., Lee, M. H. & Lin, I. C., 2000 6月 15, 於: Journal of Applied Physics. 87, 12, p. 8793-8795 3 p.

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41 引文斯高帕斯（Scopus）

Novel photodetector using MOS tunneling structures

Liu, C. W., Liu, W. T., Lee, M. H., Kuo, W. S. & Hsu, B. C., 2000 6月, 於: IEEE Electron Device Letters. 21, 6, p. 307-309 3 p.

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73 引文斯高帕斯（Scopus）

Room-temperature electroluminescence from electron-hole plasmas in the metal-oxide-silicon tunneling diodes

Liu, C. W., Lee, M. H., Chen, M. J., Lin, I. C. & Lin, C. F., 2000 3月 20, 於: Applied Physics Letters. 76, 12, p. 1516-1518 3 p.

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93 引文斯高帕斯（Scopus）

Room-temperature electroluminescence from metal-oxide-silicon-tunneling diodes on (110) substrates

Liu, C. W., Lee, M. H., Chang, S. T., Chen, M. J. & Lin, C. F., 2000 10月 15, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 39, 10 B, p. L1016-L1018

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Roughness-enhanced electroluminescence from metal oxide silicon tunneling diodes

Liu, C. W., Lee, M. H., Chen, M. J., Lin, C. F. & Chern, M. Y., 2000 12月, 於: IEEE Electron Device Letters. 21, 12, p. 601-603 3 p.

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39 引文斯高帕斯（Scopus）

Temperature dependence of the electron-hole-plasma electroluminescence from metal-oxide-silicon tunneling diodes

Liu, C. W., Chen, M. J., Lin, I. C., Lee, M. H. & Lin, C. F., 2000 8月 21, 於: Applied Physics Letters. 77, 8, p. 1111-1113 3 p.

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