Min-Hung Lee

2023

Fatigue Mechanism of Antiferroelectric Hf_0.1Zr_0.9O₂ Toward Endurance Immunity by Opposite Polarity Cycling Recovery (OPCR) for eDRAM

Hsiang, K. Y., Lee, J. Y., Lou, Z. F., Chang, F. S., Chen, Y. C., Li, Z. X., Liao, M. H., Liu, C. W., Hou, T. H., Su, P. & Lee, M. H., 2023 4月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 70, 4, p. 2142-2146 5 p.

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開啟存取

4 引文斯高帕斯（Scopus）

Reduction of Metal/Carbon Nano-Tubes Interface Contact Resistance by Floating Catalyst Growing Method and Semimetals

Tsai, Y. T., Basu, N., Chen, T. W., Chan, Y. C., Lin, H. Y., Chen, S. C., Lee, M. H. & Liao, M. H., 2023 8月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 70, 8, p. 4463-4466 4 p.

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The Advantages of Double Catalytic Layers for Carbon Nanotube Growth at Low Temperatures (<400 °C) in 3D Stacking and Power Applications

Lin, H. Y., Basu, N., Lee, M. H., Chen, S. C. & Liao, M. H., 2023 5月, 於: Coatings. 13, 5, 965.

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開啟存取

The Analysis of Multiwall Carbon Nanotubes as Through Silicon Via by Equivalent Circuit Model at Different Operating Temperatures in Multilayers Stacking Scheme

Chan, Y. C., Basu, N., Chen, T. W., Tsai, Y. T., Lin, H. Y., Chen, S. C., Lee, M. H. & Liao, M. H., 2023 6月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 70, 6, p. 3360-3364 5 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

2022

Dielectric Layer Design of Bilayer Ferroelectric and Antiferroelectric Tunneling Junctions Toward 3D NAND-Compatible Architecture

Hsiang, K. Y., Liao, C. Y., Liu, J. H., Lin, C. Y., Lee, J. Y., Lou, Z. F., Chang, F. S., Ray, W. C., Li, Z. X., Tseng, H. C., Wang, C. C., Liao, M. H., Hou, T. H. & Lee, M. H., 2022 11月 1, 於: IEEE Electron Device Letters. 43, 11, p. 1850-1853 4 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Experimental Insights of Reverse Switching Charge for Antiferroelectric Hf.Zr.O

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Lin, C. Y., Lou, Z. F., Li, Z. X., Tseng, H. C., Chang, F. S., Ray, W. C., Wang, C. C., Lee, J. Y., Chen, P. H., Tsai, J. H., Liao, M. H. & Lee, M. H., 2022 9月 1, 於: IEEE Electron Device Letters. 43, 9, p. 1559-1562 4 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Mechanisms of instability retention for ferroelectric field effect transistors with HfZrO₂gate stack scaling down

Liao, C. Y., Lin, C. Y., Lee, Z. X., Hsiang, K. Y., Lou, Z. F., Hu, V. P. H. & Lee, M. H., 2022 12月 19, 於: Applied Physics Letters. 121, 25, 252902.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Multipeak Coercive Electric-Field-Based Multilevel Cell Nonvolatile Memory With Antiferroelectric-Ferroelectric Field-Effect Transistors (FETs)

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Lou, Z. F., Lin, C. Y., Tseng, Y. J., Tseng, H. C., Li, Z. X., Ray, W. C., Chang, F. S., Wang, C. C., Chen, T. C., Chang, C. S. & Lee, M. H., 2022 6月 1, 於: IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 69, 6, p. 2214-2221 8 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

The Demonstration of High-Quality Carbon Nanotubes as Through-Silicon Vias (TSVs) for Three-Dimensional Connection Stacking and Power-Via Technology

Yen, C. M., Chang, S. Y., Chen, K. C., Feng, Y. J., Chen, L. H., Liao, B. Z., Lee, M. H., Chen, S. C. & Liao, M. H., 2022 3月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 3, p. 1600-1603 4 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

The demonstration of low-temperature (350 °C) grown carbon nano-tubes for the applications of through silicon via in 3D stacking and power-via

Lin, H. Y., Basu, N., Chen, S. C., Lee, M. H. & Liao, M. H., 2022 12月 5, 於: Applied Physics Letters. 121, 23, 232101.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

The Investigation of Electrical Characteristics for Carbon Nano-Tubes as Through Silicon Via in Multi-Layer Stacking Scheme With an Optimized Structure

Chen, K. C., Basu, N., Chen, S. C., Lee, M. H. & Liao, M. H., 2022 9月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 9, p. 5386-5390 5 p.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

2021

Atomic Layer Deposition Plasma-Based Undoped-HfO₂Ferroelectric FETs for Non-Volatile Memory

Luo, J. D., Lai, Y. Y., Hsiang, K. Y., Wu, C. F., Chung, H. T., Li, W. S., Liao, C. Y., Chen, P. G., Chen, K. N., Lee, M. H. & Cheng, H. C., 2021 8月, 於: IEEE Electron Device Letters. 42, 8, p. 1152-1155 4 p., 9465799.

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17 引文斯高帕斯（Scopus）

Bilayer-based antiferroelectric HfZrO₂tunneling junction with high tunneling electroresistance and multilevel nonvolatile memory

Hsiang, K. Y., Liao, C. Y., Liu, J. H., Wang, J. F., Chiang, S. H., Chang, S. H., Hsieh, F. C., Liang, H., Lin, C. Y., Lou, Z. F., Hou, T. H., Liu, C. W. & Lee, M. H., 2021 10月, 於: IEEE Electron Device Letters. 42, 10, p. 1464-1467 4 p.

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26 引文斯高帕斯（Scopus）

Capacitance matching by optimizing the geometry of a ferroelectric HfO₂-based gate for voltage amplification

Chen, K. T., Hsiang, K. Y., Liao, C. Y., Chang, S. H., Hsieh, F. C., Liu, J. H., Chiang, S. H., Liang, H., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2021 6月, 於: Journal of Computational Electronics. 20, 3, p. 1209-1215 7 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Ferroelectric undoped HfO_xcapacitor with symmetric synaptic for neural network accelerator

Luo, J. D., Lai, Y. Y., Hsiang, K. Y., Wu, C. F., Yeh, Y. T., Chung, H. T., Li, Y. S., Chuang, K. C., Li, W. S., Liao, C. Y., Chen, P. G., Chen, K. N., Lee, M. H. & Cheng, H. C., 2021 3月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 68, 3, p. 1374-1377 4 p., 9339849.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

Identical Pulse Programming Based Ultra-Thin 5 nm HfZrO₂Ferroelectric Field Effect Transistors with High Conductance Ratio and Linearity Potentiation Learning Trajectory

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Chang, S. H., Chiang, S. H., Hsieh, F. C., Liu, J. H., Liang, H., Luo, Z. F., Lin, C. Y., Chen, L. Y., Hu, V. P. H. & Lee, M. H., 2021, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 10, 6, 065015.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Multibit Ferroelectric FET Based on Nonidentical Double HfZrO₂for High-Density Nonvolatile Memory

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Hsieh, F. C., Chiang, S. H., Chang, S. H., Liu, J. H., Lou, C. F., Lin, C. Y., Chen, T. C., Chang, C. S. & Lee, M. H., 2021 4月, 於: IEEE Electron Device Letters. 42, 4, p. 617-620 4 p., 9358194.

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49 引文斯高帕斯（Scopus）

Unipolar parity of ferroelectric-antiferroelectric characterized by junction current in crystalline phase Hf_1−xZr_xO₂ diodes

Hsiang, K. Y., Liao, C. Y., Wang, J. F., Lou, Z. F., Lin, C. Y., Chiang, S. H., Liu, C. W., Hou, T. H. & Lee, M. H., 2021 10月, 於: Nanomaterials. 11, 10, 2685.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Visualizing Ferroelectric Uniformity of Hf_{1- x}Zr _xO₂Films Using X-ray Mapping

Chang, S. J., Teng, C. Y., Lin, Y. J., Wu, T. M., Lee, M. H., Lin, B. H., Tang, M. T., Wu, T. S., Hu, C., Tang, E. Y. T. & Tseng, Y. C., 2021 6月 23, 於: ACS Applied Materials and Interfaces. 13, 24, p. 29212-29221 10 p.

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15 引文斯高帕斯（Scopus）

2020

Correlation between ferroelectricity and nitrogen incorporation of undoped hafnium dioxide thin films

Luo, J. D., Yeh, Y. T., Lai, Y. Y., Wu, C. F., Chung, H. T., Li, Y. S., Chuang, K. C., Li, W. S., Chen, P. G., Lee, M. H. & Cheng, H. C., 2020 6月, 於: Vacuum. 176, 109317.

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9 引文斯高帕斯（Scopus）

Ferroelectric HfZrO₂with Electrode Engineering and Stimulation Schemes as Symmetric Analog Synaptic Weight Element for Deep Neural Network Training

Hsiang, K. Y., Liao, C. Y., Chen, K. T., Lin, Y. Y., Chueh, C. Y., Chang, C., Tseng, Y. J., Yang, Y. J., Chang, S. T., Liao, M. H., Hou, T. H., Wu, C. H., Ho, C. C., Chiu, J. P., Chang, C. S. & Lee, M. H., 2020 10月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 10, p. 4201-4207 7 p., 9180313.

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41 引文斯高帕斯（Scopus）

Random polarization distribution of multi-domain model for polycrystalline ferroelectric HfZrO₂

Chen, K. T., Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Chang, S. H., Hsieh, F. J., Liang, H., Chiang, S. H., Liu, J. H., Li, K. S., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2020 10月, 於: Semiconductor Science and Technology. 35, 12, 125011.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

The Demonstration of 3-D Bi_2.0Te_2.7Se_0.3/Bi_0.4Te_3.0Sb_1.6 Thermoelectric Devices by Ionized Sputter System

Liao, M. H., Huang, K. C., Su, W. J., Chen, S. C. & Lee, M. H., 2020 1月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 1, p. 406-408 3 p., 8906168.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

The demonstration of carbon nanotubes (CNTs) as flip-chip connections in 3-D integrated circuits with an ultralow connection resistance

Liao, M. H., Lu, P. Y., Su, W. J., Chen, S. C., Hung, H. T., Kao, C. R., Pu, W. C., Chen, C. C. A. & Lee, M. H., 2020 5月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 5, p. 2205-2207 3 p., 9042868.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

The Investigation for Thickness-Dependent Electrical Performance on BaTiO3 /BiFeO3 Bilayer Ferromagnetic Capacitors

Lien, C., Hsieh, C. F., Wu, T. C., Yang, C. S., Lee, M. H., Xu, J. J., Hu, C. W., Huang, C., Chang, S. Z. & Liao, M. H., 2020 8月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 8, p. 3417-3423 7 p., 9112658.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

2019

Evaluation of sweep modes for switch response on ferroelectric negative-capacitance FETs

Chen, K. T., Chou, Y. C., Siang, G. Y., Chen, H. Y., Lo, C., Liao, C. Y., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2019 7月 1, 於: Applied Physics Express. 12, 7, 071003.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Ferroelectric HfZrO₂ FETs for steep switch onset

Chen, K. T., Liao, C. Y., Chen, H. Y., Lo, C., Siang, G. Y., Lin, Y. Y., Tseng, Y. J., Chang, C., Chueh, C. Y., Yang, Y. J., Liao, M. H., Li, K. S., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2019 7月 15, 於: Microelectronic Engineering. 215, 110991.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

Improvement of ferroelectric properties in undoped hafnium oxide thin films using thermal atomic layer deposition

Luo, J. D., Zhang, H. X., Wang, Z. Y., Gu, S. S., Yeh, Y. T., Chung, H. T., Chuang, K. C., Liao, C. Y., Li, W. S., Li, Y. S., Li, K. S., Lee, M. H. & Cheng, H. C., 2019, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SD, SDDE07.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Non-Volatile Ferroelectric FETs Using 5-nm Hf_0.5Zr_0.5O₂ with High Data Retention and Read Endurance for 1T Memory Applications

Chen, K. T., Chen, H. Y., Liao, C. Y., Siang, G. Y., Lo, C., Liao, M. H., Li, K. S., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2019 3月, 於: IEEE Electron Device Letters. 40, 3, p. 399-402 4 p., 8630859.

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90 引文斯高帕斯（Scopus）

The Development of a Dynamic Model to Investigate the Dielectric Layer Thickness Effect for the Device Performance in Triboelectric Nanogenerators

Liao, M. H., Wu, C. C., Su, W. J., Chen, S. C. & Lee, M. H., 2019 10月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 66, 10, p. 4478-4480 3 p., 8818614.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

2018

Ferroelectric HfZrO_x FETs on SOI Substrate With Reverse-DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering) and NDR (Negative Differential Resistance)

Chen, K. T., Gu, S. S., Wang, Z. Y., Liao, C. Y., Chou, Y. C., Hong, R. C., Chen, S. Y., Chen, H. Y., Siang, G. Y., Lo, C., Chen, P. G., Liao, M. H., Li, K. S., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2018, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 6, p. 900-904 5 p.

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16 引文斯高帕斯（Scopus）

Steep switching of In_0.18 Al_0.82 N/AlN/GaN MIS-HEMT (metal insulator semiconductor high electron mobility transistors) on si for sensor applications

Chen, P. G., Chen, K. T., Tang, M., Wang, Z. Y., Chou, Y. C. & Lee, M. H., 2018 9月, 於: Sensors (Switzerland). 18, 9, 2795.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

The demonstration of high-performance multilayer BaTiO₃/BiFeO₃ stack MIM capacitors

Lien, C., Hsieh, C. F., Wu, H. S., Wu, T. C., Wei, S. J., Chu, Y. H., Liao, M. H. & Lee, M. H., 2018 11月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 65, 11, p. 4834-4838 5 p., 8466023.

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9 引文斯高帕斯（Scopus）

Thickness dependence of electrical conductivity and thermo-electric power of Bi_2.0Te_2.7Se_0.3/Bi_0.4Te_3.0Sb_1.6 thermo-electric devices

Liao, M. H., Huang, K. C., Tsai, F. A., Liu, C. Y., Lien, C. & Lee, M. H., 2018 1月 1, 於: AIP Advances. 8, 1, 015020.

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10 引文斯高帕斯（Scopus）

2017

Coherent and Polarized Random Laser Emissions from Colloidal CdSe/ZnS Quantum Dots Plasmonically Coupled to Ellipsoidal Ag Nanoparticles

Yao, Y. C., Yang, Z. P., Hwang, J. M., Su, H. C., Haung, J. Y., Lin, T. N., Shen, J. L., Lee, M. H., Tsai, M. T. & Lee, Y. J., 2017 2月 2, 於: Advanced Optical Materials. 5, 3, 1600746.

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52 引文斯高帕斯（Scopus）

Hidden Antipolar Order Parameter and Entangled Néel-Type Charged Domain Walls in Hybrid Improper Ferroelectrics

Lee, M. H., Chang, C. P., Huang, F. T., Guo, G. Y., Gao, B., Chen, C. H., Cheong, S. W. & Chu, M. W., 2017 10月 10, 於: Physical Review Letters. 119, 15, 157601.

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34 引文斯高帕斯（Scopus）

The achievement of the super short channel control in the magnetic Ge n-FinFETs with the negative capacitance effect

Liao, M. H., Huang, H. Y., Tsai, F. A., Chuang, C. C., Hsu, M. H., Lee, C. C., Lee, M. H., Lien, C., Hsieh, C. F., Wu, T. C., Wu, H. S. & Yao, C. W., 2017 6月 1, 於: Vacuum. 140, p. 63-65 3 p.

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2016

Amorphous layers by electron beam evaporator deposition for hetero-junction with intrinsic thin layer solar cells applications

Liu, S., Chen, Z. Y., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2016, 於: International Journal of Nanotechnology. 13, 7, p. 485-491 7 p.

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Divergent dielectric characteristics in cascaded high-K gate stacks with reverse gradient bandgap structures

Tsai, M. C., Cheng, P. H., Lee, M. H., Lin, H. C. & Chen, M. J., 2016 5月 26, 於: Journal of Physics D: Applied Physics. 49, 26, 265108.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

In situ atomic layer nitridation on the top and down regions of the amorphous and crystalline high-K gate dielectrics

Tsai, M. C., Lee, M. H., Kuo, C. L., Lin, H. C. & Chen, M. J., 2016 11月 30, 於: Applied Surface Science. 387, p. 274-279 6 p.

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6 引文斯高帕斯（Scopus）

Metal insulator semiconductor field effect transistors with thin strained Ge film

Chen, K. T., He, R. Y., Chen, C. W., Tu, W. H., Kao, C. Y., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2016 12月 1, 於: Thin Solid Films. 620, p. 197-200 4 p.

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Morphology control and characteristics of ZnO/ZnS nanorod arrays synthesised by microwave-assisted heating

Tsai, M. K., Huang, W., Hu, S. Y., Lee, J. W., Lee, Y. C., Lee, M. H. & Shen, J. L., 2016 4月 1, 於: Micro and Nano Letters. 11, 4, p. 192-195 4 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Simulation-based study of negative-capacitance double-gate tunnel field-effect transistor with ferroelectric gate stack

Liu, C., Chen, P. G., Xie, M. J., Liu, S. N., Lee, J. W., Huang, S. J., Liu, S., Chen, Y. S., Lee, H. Y., Liao, M. H., Chen, P. S. & Lee, M. H., 2016 4月, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 55, 4, 04EB08.

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33 引文斯高帕斯（Scopus）

2015

Characteristics of controllable-shape well-aligned zinc oxide nanorods synthesized by microwave-assisted heating

Tsai, M. K., Huang, W., Hu, S. Y., Lee, Y. C., Lee, J. W., Lee, M. H. & Shen, J. L., 2015 11月 1, 於: Micro and Nano Letters. 10, 11, p. 630-632 3 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Double nitridation of crystalline ZrO ₂ /Al ₂ O ₃ buffer gate stack with high capacitance, low leakage and improved thermal stability

Huang, J. J., Tsai, Y. J., Tsai, M. C., Lee, M. H. & Chen, M. J., 2015 3月 1, 於: Applied Surface Science. 330, p. 221-227 7 p.

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9 引文斯高帕斯（Scopus）

Ferroelectricity of HfZrO₂ in energy landscape with surface potential gain for low-power steep-slope transistors

Lee, M. H., Wei, Y. T., Liu, C., Huang, J. J., Tang, M., Chueh, Y. L., Chu, K. Y., Chen, M. J., Lee, H. Y., Chen, Y. S., Lee, L. H. & Tsai, M. J., 2015 7月 1, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 3, 4, p. 377-381 5 p., 7110513.

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62 引文斯高帕斯（Scopus）

Impact of nitrogen depth profiles on the electrical properties of crystalline high-K gate dielectrics

Huang, J. J., Tsai, Y. J., Tsai, M. C., Huang, L. T., Lee, M. H. & Chen, M. J., 2015 1月 1, 於: Applied Surface Science. 324, p. 662-668 7 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Indium-based ternary barrier high-electron-mobility transistors on Si substrate with high ON/OFF ratio for power applications

Chen, P. G., Tang, M. & Lee, M. H., 2015 3月 1, 於: IEEE Electron Device Letters. 36, 3, p. 259-261 3 p., 7005421.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Steep Slope and Near Non-Hysteresis of FETs with Antiferroelectric-Like HfZrO for Low-Power Electronics

Lee, M. H., Wei, Y. T., Chu, K. Y., Huang, J. J., Chen, C. W., Cheng, C. C., Chen, M. J., Lee, H. Y., Chen, Y. S., Lee, L. H. & Tsai, M. J., 2015 4月 1, 於: IEEE Electron Device Letters. 36, 4, p. 294-296 3 p., 7038127.

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141 引文斯高帕斯（Scopus）

Stress distribution of IGZO TFTs under mechanical rolling using finite element method for flexible applications

Lee, M. H., Hsu, S. M., Shen, J. D. & Liu, C., 2015 4月 20, 於: Microelectronic Engineering. 138, p. 77-80 4 p.

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21 引文斯高帕斯（Scopus）

李 敏鴻

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