Min-Hung Lee

期刊論文

Ferroelectricity of HfZrO₂ in energy landscape with surface potential gain for low-power steep-slope transistors

Lee, M. H., Wei, Y. T., Liu, C., Huang, J. J., Tang, M., Chueh, Y. L., Chu, K. Y., Chen, M. J., Lee, H. Y., Chen, Y. S., Lee, L. H. & Tsai, M. J., 2015 7月 1, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 3, 4, p. 377-381 5 p., 7110513.

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62 引文斯高帕斯（Scopus）

Ferroelectric undoped HfO_xcapacitor with symmetric synaptic for neural network accelerator

Luo, J. D., Lai, Y. Y., Hsiang, K. Y., Wu, C. F., Yeh, Y. T., Chung, H. T., Li, Y. S., Chuang, K. C., Li, W. S., Liao, C. Y., Chen, P. G., Chen, K. N., Lee, M. H. & Cheng, H. C., 2021 3月, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 68, 3, p. 1374-1377 4 p., 9339849.

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

Formation of relaxed SiGe on the buffer consists of modified SiGe stacked layers by Si pre-intermixing

Chen, P. S., Lee, S. W., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2008 7月 30, 於: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6076-6080 5 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Ge outdiffusion effect on flicker noise in strained-Si nMOSFETs

Hua, W. C., Lee, M. H., Chen, P. S., Maikap, S., Liu, C. W. & Chen, K. M., 2004 10月, 於: IEEE Electron Device Letters. 25, 10, p. 693-695 3 p.

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59 引文斯高帕斯（Scopus）

Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si layer for strained Si n-MOSFETs

Chen, P. S., Lee, S. W., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2006 4月 1, 於: Semiconductor Science and Technology. 21, 4, p. 479-485 7 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Growth of strained Si on high-quality relaxed Si1-x Gex with an intermediate Si1-y Cy layer

Lee, S. W., Chueh, Y. L., Chen, L. J., Chou, L. J., Chen, P. S., Lee, M. H., Tsai, M. J. & Liu, C. W., 2005 7月, 於: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 23, 4, p. 1141-1145 5 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Hetero-tunnel field-effect-transistors with epitaxially grown germanium on silicon

Lee, M. H., Lin, J. C. & Kao, C. Y., 2013, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 60, 7, p. 2423-2427 5 p., 6527300.

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15 引文斯高帕斯（Scopus）

Hidden Antipolar Order Parameter and Entangled Néel-Type Charged Domain Walls in Hybrid Improper Ferroelectrics

Lee, M. H., Chang, C. P., Huang, F. T., Guo, G. Y., Gao, B., Chen, C. H., Cheong, S. W. & Chu, M. W., 2017 10月 10, 於: Physical Review Letters. 119, 15, 157601.

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34 引文斯高帕斯（Scopus）

High dielectric constant terbium oxide (Tb ₂O ₃) dielectric deposited on strained-Si:C

Kao, C. H., Liu, K. C., Lee, M. H., Cheng, S. N., Huang, C. H. & Lin, W. K., 2012 2月 1, 於: Thin Solid Films. 520, 8, p. 3402-3405 4 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

High ge content of SiGe channel pMOSFETs on Si (110) surfaces

Lee, M. H., Chang, S. T., Maikap, S., Peng, C. Y. & Lee, C. H., 2010 2月, 於: IEEE Electron Device Letters. 31, 2, p. 141-143 3 p., 5371936.

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16 引文斯高帕斯（Scopus）

High-performance poly-Si TFTs using ultrathin HfSiO_x gate dielectric for monolithic three-dimensional integrated circuits and system on glass applications

Lee, M. H., Wu, S. L., Yang, M. J., Chen, K. J., Luo, G. L., Lee, L. S. & Kao, M. J., 2010 8月, 於: IEEE Electron Device Letters. 31, 8, p. 824-826 3 p., 5497075.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Hole confinement at Si/SiGe heterojunction of strained-Si N and PMOS devices

Wei, J. Y., Maikap, S., Lee, M. H., Lee, C. C. & Liu, C. W., 2006 2月, 於: Solid-State Electronics. 50, 2, p. 109-113 5 p.

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15 引文斯高帕斯（Scopus）

Hole mobility enhancement of Si_0.2Ge_0.8 quantum well channel on Si

Peng, C. Y., Yuan, F., Yu, C. Y., Kuo, P. S., Lee, M. H., Maikap, S., Hsu, C. H. & Liu, C. W., 2007, 於: Applied Physics Letters. 90, 1, 012114.

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27 引文斯高帕斯（Scopus）

Hydrogenated amorphous silicon thin film transistor fabricated on glass and polyimide substrate at 200°C

Huang, J. J., Lee, M. H., Tsai, C. J. & Yeh, Y. H., 2007 3月 16, 於: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 46, 3 B, p. 1295-1298 4 p.

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14 引文斯高帕斯（Scopus）

Identical Pulse Programming Based Ultra-Thin 5 nm HfZrO₂Ferroelectric Field Effect Transistors with High Conductance Ratio and Linearity Potentiation Learning Trajectory

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Chang, S. H., Chiang, S. H., Hsieh, F. C., Liu, J. H., Liang, H., Luo, Z. F., Lin, C. Y., Chen, L. Y., Hu, V. P. H. & Lee, M. H., 2021, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 10, 6, 065015.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Impact of nitrogen depth profiles on the electrical properties of crystalline high-K gate dielectrics

Huang, J. J., Tsai, Y. J., Tsai, M. C., Huang, L. T., Lee, M. H. & Chen, M. J., 2015 1月 1, 於: Applied Surface Science. 324, p. 662-668 7 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Impact of self-complementary resistance switch induced by over-Reset energy on the memory reliability of hafnium oxide based resistive random access memory

Lee, H. Y., Chen, Y. S., Chen, P. S., Tsai, C. H., Gu, P. Y., Wu, T. Y., Tsai, K. H., Rahaman, S. Z., Chen, F., Tsai, M. J., Lee, M. H. & Ku, T. K., 2014 8月, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 53, 8 SPEC. ISSUE 1, 08LE01.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Improvement in electrical characteristics of HfO ₂ gate dielectrics treated by remote NH ₃ plasma

Huang, L. T., Chang, M. L., Huang, J. J., Lin, H. C., Kuo, C. L., Lee, M. H., Liu, C. W. & Chen, M. J., 2013 2月 1, 於: Applied Surface Science. 266, p. 89-93 5 p.

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12 引文斯高帕斯（Scopus）

Improvement of capacitance equivalent thickness, leakage current, and interfacial state density based on crystallized high-k dielectrics/nitrided buffer layer gate stacks

Huang, J. J., Huang, L. T., Tsai, M. C., Lee, M. H. & Chena, M. J., 2013, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2, 12, p. P524-P528

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8 引文斯高帕斯（Scopus）

Improvement of ferroelectric properties in undoped hafnium oxide thin films using thermal atomic layer deposition

Luo, J. D., Zhang, H. X., Wang, Z. Y., Gu, S. S., Yeh, Y. T., Chung, H. T., Chuang, K. C., Liao, C. Y., Li, W. S., Li, Y. S., Li, K. S., Lee, M. H. & Cheng, H. C., 2019, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SD, SDDE07.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Indium-based ternary barrier high-electron-mobility transistors on Si substrate with high ON/OFF ratio for power applications

Chen, P. G., Tang, M. & Lee, M. H., 2015 3月 1, 於: IEEE Electron Device Letters. 36, 3, p. 259-261 3 p., 7005421.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

In situ atomic layer nitridation on the top and down regions of the amorphous and crystalline high-K gate dielectrics

Tsai, M. C., Lee, M. H., Kuo, C. L., Lin, H. C. & Chen, M. J., 2016 11月 30, 於: Applied Surface Science. 387, p. 274-279 6 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Mechanical bending cycles of hydrogenated amorphous silicon layer on plastic substrate by plasma-enhanced chemical vapor deposition for use in flexible displays

Lee, M. H., Chang, S. T., Wu, Y. C., Tang, M. & Lin, C. Y., 2009 2月, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 48, 2, 021301.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Mechanically Strained Strained-Si NMOSFETs

Maikap, S., Yu, C. Y., Jan, S. R., Lee, M. H. & Liu, C. W., 2004 1月, 於: IEEE Electron Device Letters. 25, 1, p. 40-42 3 p.

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24 引文斯高帕斯（Scopus）

Mechanisms of instability retention for ferroelectric field effect transistors with HfZrO₂gate stack scaling down

Liao, C. Y., Lin, C. Y., Lee, Z. X., Hsiang, K. Y., Lou, Z. F., Hu, V. P. H. & Lee, M. H., 2022 12月 19, 於: Applied Physics Letters. 121, 25, 252902.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Metal insulator semiconductor field effect transistors with thin strained Ge film

Chen, K. T., He, R. Y., Chen, C. W., Tu, W. H., Kao, C. Y., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2016 12月 1, 於: Thin Solid Films. 620, p. 197-200 4 p.

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Modified growth of Ge quantum dots using C ₂ H ₄ mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

Lee, S. W., Chen, P. S., Cheng, S. L., Lee, M. H., Chang, H. T., Lee, C. H. & Liu, C. W., 2008 7月 30, 於: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6261-6264 4 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Monolithic integration of GaN-based lightemitting diodes and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Lee, Y. J., Yang, Z. P., Chen, P. G., Hsieh, Y. A., Yao, Y. C., Liao, M. H., Lee, M. H., Wang, M. T. & Hwang, J. M., 2014 10月 20, 於: Optics Express. 22, 21, p. A1589-A1595

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61 引文斯高帕斯（Scopus）

Morphology control and characteristics of ZnO/ZnS nanorod arrays synthesised by microwave-assisted heating

Tsai, M. K., Huang, W., Hu, S. Y., Lee, J. W., Lee, Y. C., Lee, M. H. & Shen, J. L., 2016 4月 1, 於: Micro and Nano Letters. 11, 4, p. 192-195 4 p.

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5 引文斯高帕斯（Scopus）

Multibit Ferroelectric FET Based on Nonidentical Double HfZrO₂for High-Density Nonvolatile Memory

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Hsieh, F. C., Chiang, S. H., Chang, S. H., Liu, J. H., Lou, C. F., Lin, C. Y., Chen, T. C., Chang, C. S. & Lee, M. H., 2021 4月, 於: IEEE Electron Device Letters. 42, 4, p. 617-620 4 p., 9358194.

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46 引文斯高帕斯（Scopus）

Multipeak Coercive Electric-Field-Based Multilevel Cell Nonvolatile Memory With Antiferroelectric-Ferroelectric Field-Effect Transistors (FETs)

Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Lou, Z. F., Lin, C. Y., Tseng, Y. J., Tseng, H. C., Li, Z. X., Ray, W. C., Chang, F. S., Wang, C. C., Chen, T. C., Chang, C. S. & Lee, M. H., 2022 6月 1, 於: IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 69, 6, p. 2214-2221 8 p.

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4 引文斯高帕斯（Scopus）

Nickel Schottky junction on epi-Ge for strained Ge metal-oxide- semiconductor field-effect transistors source/drain engineering

Lee, M. H., Hsieh, B. F., Chang, S. T. & Lee, S. W., 2012 2月 1, 於: Thin Solid Films. 520, 8, p. 3379-3381 3 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

Nonlinear bidirectional selector without rare materials for stackable cross-bar bipolar memory applications

Lee, M. H., Luo, J. D., Cheng, C. C., Huang, J. S., Chueh, Y. L., Chen, C. W., Wu, T. Y., Chen, Y. S., Lee, H. Y., Chen, F. & Tsai, M. J., 2014 8月, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 53, 8 SPEC. ISSUE 1, 08LE03.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

Non-Volatile Ferroelectric FETs Using 5-nm Hf_0.5Zr_0.5O₂ with High Data Retention and Read Endurance for 1T Memory Applications

Chen, K. T., Chen, H. Y., Liao, C. Y., Siang, G. Y., Lo, C., Liao, M. H., Li, K. S., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2019 3月, 於: IEEE Electron Device Letters. 40, 3, p. 399-402 4 p., 8630859.

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87 引文斯高帕斯（Scopus）

Novel methods to incorporate deuterium in the MOS structures

Lee, M. H., Lin, C. H. & Liu, C. W., 2001 11月, 於: IEEE Electron Device Letters. 22, 11, p. 519-521 3 p.

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7 引文斯高帕斯（Scopus）

Novel photodetector using MOS tunneling structures

Liu, C. W., Liu, W. T., Lee, M. H., Kuo, W. S. & Hsu, B. C., 2000 6月, 於: IEEE Electron Device Letters. 21, 6, p. 307-309 3 p.

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71 引文斯高帕斯（Scopus）

Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs

Chang, S. T., Liu, Y. H., Lee, M. H., Lu, S. C. & Tsai, M. J., 2005 2月, 於: Materials Science in Semiconductor Processing. 8, 1-3 SPEC. ISS., p. 289-294 6 p.

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3 引文斯高帕斯（Scopus）

P-103: Redistributed deep states created by mechanical bending to improve the electrical reliability of a-Si:H TFTs on flexible substrates

Lee, M. H., Lu, S. H., Chang, S. T., Tang, M., Huang, J. J., Ho, K. Y., Huang, Y. S. & Lee, C. C., 2010 5月, 於: Digest of Technical Papers - SID International Symposium. 41 1, p. 1636-1639 4 p.

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Phase field modeling of convective and morphological instability during directional solidification of an alloy

Lan, C. W., Lee, M. H., Chuang, M. H. & Shih, C. J., 2006 10月 1, 於: Journal of Crystal Growth. 295, 2, p. 202-208 7 p.

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31 引文斯高帕斯（Scopus）

Phase field modeling of excimer laser crystallization of thin silicon films on amorphous substrates

Shih, C. J., Fang, C. H., Lu, C. C., Wang, M. H., Lee, M. H. & Lan, C. W., 2006, 於: Journal of Applied Physics. 100, 5, 053504.

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13 引文斯高帕斯（Scopus）

p-Type tunneling field-effect transistors on (100)- and (110)-oriented Si substrates

Lee, M. H., Hsieh, B. F., Wu, T. H. & Chang, S. T., 2011 10月, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 50, 10 PART 2

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P-Type tunneling transistors with polycrystalline silicon by sequential lateral solidification growth technique

Lee, M. H. & Weng, S. C., 2012 2月, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 51, 2 PART 2, 02BJ13.

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17 引文斯高帕斯（Scopus）

Quantitative phase field simulation of deep cells in directional solidification of an alloy

Lan, C. W., Shih, C. J. & Lee, M. H., 2005 5月, 於: Acta Materialia. 53, 8, p. 2285-2294 10 p.

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34 引文斯高帕斯（Scopus）

Random polarization distribution of multi-domain model for polycrystalline ferroelectric HfZrO₂

Chen, K. T., Liao, C. Y., Hsiang, K. Y., Chang, S. H., Hsieh, F. J., Liang, H., Chiang, S. H., Liu, J. H., Li, K. S., Chang, S. T. & Lee, M. H., 2020 10月, 於: Semiconductor Science and Technology. 35, 12, 125011.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Reduction of Metal/Carbon Nano-Tubes Interface Contact Resistance by Floating Catalyst Growing Method and Semimetals

Tsai, Y. T., Basu, N., Chen, T. W., Chan, Y. C., Lin, H. Y., Chen, S. C., Lee, M. H. & Liao, M. H., 2023 8月 1, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 70, 8, p. 4463-4466 4 p.

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Reliability improvement of a-Si:H thin film transistors on plastic substrate with saturation in deep state after multiple bending cycles

Lee, M. H., Chen, P. G. & Hsu, C. C., 2013 10月 1, 於: Thin Solid Films. 544, p. 103-106 4 p.

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1 引文斯高帕斯（Scopus）

Reliability improvement of rapid thermal oxide using gas switching

Lee, M. H., Yu, C. Y., Yuan, F., Chen, K. F., Lai, C. C. & Liu, C. W., 2003 11月, 於: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 16, 4, p. 656-659 4 p.

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Room-temperature electroluminescence from electron-hole plasmas in the metal-oxide-silicon tunneling diodes

Liu, C. W., Lee, M. H., Chen, M. J., Lin, I. C. & Lin, C. F., 2000 3月 20, 於: Applied Physics Letters. 76, 12, p. 1516-1518 3 p.

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93 引文斯高帕斯（Scopus）

Room-temperature electroluminescence from metal-oxide-silicon-tunneling diodes on (110) substrates

Liu, C. W., Lee, M. H., Chang, S. T., Chen, M. J. & Lin, C. F., 2000 10月 15, 於: Japanese Journal of Applied Physics. 39, 10 B, p. L1016-L1018

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2 引文斯高帕斯（Scopus）

Roughness-enhanced electroluminescence from metal oxide silicon tunneling diodes

Liu, C. W., Lee, M. H., Chen, M. J., Lin, C. F. & Chern, M. Y., 2000 12月, 於: IEEE Electron Device Letters. 21, 12, p. 601-603 3 p.

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